硅基分立器件
-
SIC
-
IGBT
-
MOSFET
-
TVS
-
FRD
-
MEMS
-
碳化硅器件(Silicon Carbide)
碳化硅材料具有高导热的材料特性,可在高温环境下正常运作。碳化硅功率器件具有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效率、可靠性,提升系统功率密度,小型化电力电子系统。在高可靠性要求的工业应用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域,碳化硅材料比其他新兴材料更具明显优势并被广泛应用。
PE
InverterMotor
ControlSmart
Power GridShip&
VesselsWindmills
UPS
xEV
碳化硅器件特点
碳化硅肖特基二极管具有高耐压、高导热材料特性,具有优异的反向恢复能力,可改善功率损失,提升系统的效率。
碳化硅MOSFET具有高速开关、低导通电阻等特性,在电力电子高频应用中,可以减少导通切换的功率损失,提升整体系统效率
SiC 平台工艺能力
-
高温离子注入
-
金属沉积
-
高温退火
-
激光退火
-
深沟槽SiC刻蚀
-
SiC栅氧
-
SiC晶圆减薄
-
自对准短沟道工艺
-
高沟道迁移率工艺
-
零缺陷筛选工艺
Roadmap
-
技术简介
绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种混合型电力电子元件,其结合了功率BJT和功率MOSFET的优点,具有MOS栅压控可关断能力,优良的导通特性(低通态功耗和大额定电流),适合的开关速度和较宽的安全工作区。Si IGBT最高耐压可达6500V,工作频率为2kHz至50kHz。目前IGBT广泛应用于消费类电器、工业控制、工业电源、新能源发电、智能电网、轨道交通、机车牵引和电动汽车等领域。
平台现状
鸿运国际官网长期专注于功率IGBT工艺技术的开发,积累了丰富的开发经验和量产经验,现已具备平面IGBT与沟槽IGBT全系列工艺技术平台能力。鸿运国际官网成功开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面场终止型IGBT、以及600V~1700V沟槽栅场终止型(Trench FS)IGBT,基于Trench FS平台又成功开发了650V/1200V逆导(RC)IGBT。鸿运国际官网8吋量产的最新一代高密度沟槽栅高能氢注入场终止IGBT,饱和压降小、开关损耗低,且已通过车规级可靠性考核,产品应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、工业工控等领域。
技术能力
高密度沟槽栅刻蚀,LOCOS CMP,Poly CMP,Taiko背面研磨,高能氢注入,激光退火,高压大电流CP测试,Ring Cut & Dicing
-
技术简介
金属氧化物半导体场效应管(MOSFET,Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是由金属、氧化物及半导体三种 材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流,用于功率输出级的器件,最高耐压可达900V。功率MOSFET主要用于电机控制(电动车、电动工具)、电源管理(锂电保护,光伏储能)、开关电源(同步整流,PD快充)等领域。
平台现状
鸿运国际官网长期专注于功率MOSFET工艺技术平台开发,拥有丰富的MOSFET生产制造经验。现已形成包括Trench MOS,SGT和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET功率器件工艺技术平台。其中鸿运国际官网8寸研发量产的SGT平台已涵盖30-200V,且已通过车规级可靠性考核。该器件采用电荷平衡技术,可以明显减小器件的导通电阻和米勒电容,实现更优的品质因数(FOM),从而有效降低导通损耗,提高开关性能和工作效率,在不间断电源、电池管理系统、电机驱动、服务器等领域有广泛的应用。
技术能力
高密度深沟槽栅刻蚀,高密度等离子体氧化物填充,多晶硅与氧化硅CMP,Taiko背面研磨
-
鸿运国际官网6吋/8吋线拥有丰富的TVS(瞬态电压抑制器)工艺研发和生产经验;拥有特色的外延工艺和基于现有CMOS后段产线升级的工艺,能制造出超低电容和超低回折电压的高端产品,客户产品已经打入国际一流3C产品供应链,拥有能为国内外客户定制化平面型和沟槽型产品的工艺方案。
-
技术简介
快恢复二极管(FRD,Fast Recovery Diode)具有快速的开通和高速关断能力,具有极短的反向恢复时间、较小的反向过冲电流和较好的软恢复特性,可用于续流二极管(FWD, Freewheeling diode),在IGBT关断后,为电路中的感性负载提供续流回路,减小电容的充放电时间,同时抑制负载电流的瞬时反向引起的高感应电压。同时,FRD也可以用于整流二极管。目前FRD广泛应用于消费类电器、工业/工控、可再生能源、新能源汽车等领域。
平台现状
鸿运国际官网6吋拥有以外延片和扩散片为基础的FRD制程,支持电子辐照技术进行少子寿命控制。已量产包括650V/750V/1200V/1700V的技术平台工艺,并成功开发出3300V/4500V/6500V的超高压平台。
鸿运国际官网8吋区熔片(FZ)FRD平台,采用低发射极掺杂效率设计和高能氢注入缓冲层,以及业内最先进的局域寿命控制技术(LLC,Local Lifetime Control),具有低正向导通电压、软恢复特性、正温度系数等性能优势。最高结温175℃,并可通过车规级可靠性考核。产品应用于新能源汽车、大功率光伏逆变、储能、工业工控等领域。同时,在此基础上,开发了1200V外延(EPI)FRD平台,成本更低,以满足客户的不同应用需求。
技术能力
全局寿命控制,局域寿命控制,Taiko背面研磨,高能氢注入,激光退火,高压大电流CP测试,Ring Cut & Dicing
-
技术简介
MEMS 是利用集成电路制造技术和微结构、微传感器、控制处理电路甚至接口电路、通信电路和电源电路等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统,是微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成,属于微电子技术与机械工程结合的一种工业技术,广泛应用于消费电子领域,机械领域、汽车工业领域以及化工与医疗器械领域
平台现状
鸿运国际官网拥有超过10年的MEMS加工经验, 具有厚外延,深槽刻蚀,金属蒸金,富硅氮化硅以及其他定制化的解决方案, 目前具备光学MEMS传感器的研发和规模量产能力, 同时, MEMS扬声器仍在持续开发过程中。
技术能力
CMOS兼容工艺、厚外延、深槽刻蚀、金属蒸金、富硅氮化硅,可应用于硅光通信、消费电子、工业控制